従来にないレーザ加工によるインゴットスライス手法「KABRA」プロセスなどを紹介

ディスコは世界トップシェアの半導体製造装置メーカーです。ディスコの技術・製品は、スマートフォンやICカード、自動車、航空機など身近な製品に搭載される最先端デバイス（半導体・電子部品）の製造に使用され、便利で快適な生活の実現に貢献。「切る」「削る」「磨く」という3つの技術を柱に、事業を展開しています。

インゴット表面からレーザを入射し、連続的に光吸収層＝KABRA層を形成。このKABRA層を起点に、ウェーハ化する加工方法です。

■　加工時間の大幅短縮
従来、φ4インチSiCインゴットからウェーハを切り出すまでの加工時間は、1枚当たり2時間前後（1インゴットあたり2〜3日）でしたが、KABRAプロセスでは1枚あたり25分（同、約18時間）へと大幅短縮。また、φ6インチの場合も、既存プロセスで1枚あたり3時間強だった加工時間を約30分に短縮可能です。■　ラップ研削工程不要
ワイヤ加工の場合、ウェーハ表面に生じる50μm程度のうねりを除去するためのラップ研削が必要でしたが、KABRAプロセスでは剥離後のウェーハのうねりを抑制できるため不要に。イニシャルコストおよびランニングコストの大幅な低減を実現しています。

■　ウェーハ生産枚数が1.5倍に増加
ワイヤ加工では切断部分の素材ロス（カーフロス）がウェーハ１枚あたり200μm程度ですが、KABRAプロセスでは切断部分の素材ロスがありません。また、剥離後のKABRA層の除去分は100μm程度に抑えられるため、インゴット1本あたりのウェーハ取り枚数は、従来比約1.5倍になっています。

例えばφ4インチ、厚さ20mmインゴットから、指定厚350μmウェーハを生産する場合、従来の加工時間でインゴットを30枚しか生産できなかったものが、114枚加工できる（44×2.6)ようになるため、生産効率は3.8倍（約４倍）になると言えます。

SiCインゴットスライスの高速化・ウェーハ取り枚数増を同時に実現しています。

■　φ6inch インゴット対応
■　最大インゴット厚　40mm対応
■　アライメントフリー
・自動インゴット厚み測定機能
・オートアライメントによるオリフラ検知機能
■　省フットプリント

様々な生産ラインをフレキシブルに構築可能。UPHがバランスする、最適なライン構成ができます。

大型基板を用いるFOWLPをターゲットとした720×610mm対応の大判ダイサです。

従来のパッケージと比較して大幅な小型・薄型化や高い集積化を実現できる技術として、FOWLP（Fan Out Wafer Level Package）のニーズが高まっています。この生産工程において、大判パッケージ基板を使用することでコストダウンを図るケースが増加しています。
携帯端末に搭載されるなどFOWLPの生産ニーズを背景に、この度大判パッケージ基板対応ダイシングソー「DFD6310」を開発しています。■　大型パッケージ基板対応
■　最大720×610mm、670×670mmワーク対応
■　カットストローク720mm
■　フェイシングデュアルスピンドル搭載

ダイサと移載機のタクトのアンバランスを、独立した移載機にトレイを受け渡すことで最適化するUNITRAYコンセプトです。

■　JEDECトレイと同寸法
■　パッケージのズレを防止する弱粘着シート付き

離れた場所に設置された装置同士をつなぎ、プロセスが完結。エアシュータに装置間搬送ロボットとローダ/アンローダ（最大60個のシャトルをストック）を組み合わせることで、1プロセス1分のミニマル装置を60分無人稼働できます。今回、ブースを利用し実物のミニマルウェーハを展示しています。